GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法
發(fā)布時(shí)間： 2023-08-23 13:01:34 點(diǎn)擊： 694
GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法
規(guī)定了用擴(kuò)展電阻探針法測定硅片的電阻率的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件和材料中硅片的電阻率測試。
根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，測試設(shè)備應(yīng)包括探針、放大器、信號(hào)發(fā)生器、示波器、電源和測試夾具等。測試時(shí)，將硅片放在測試夾具上，將探針與硅片接觸并將探針固定在測試夾具上。然后，通過信號(hào)發(fā)生器和放大器在硅片上施加一個(gè)小的交流電壓，同時(shí)觀察示波器上的讀數(shù)。通過這些讀數(shù)，可以計(jì)算出硅片的電阻率。
需要注意的是，這種方法適用于厚度大于0.5mm的硅片。對(duì)于更薄的硅片，可以使用其他方法來測試其電阻率。此外，測試結(jié)果也會(huì)受到探針與硅片接觸電阻、測試環(huán)境的溫度和濕度等因素的影響。因此，在進(jìn)行測試時(shí)，需要控制測試條件并采取必要的修正措施，以保證測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
硅片電阻率的測定是評(píng)估硅材料導(dǎo)電性能的重要參數(shù)之一。在半導(dǎo)體工業(yè)中，硅片的電阻率對(duì)于器件的性能和電路設(shè)計(jì)具有重要意義。
硅片電阻率的測定方法有多種，其中包括擴(kuò)展電阻探針法、電容法、霍爾效應(yīng)法等。這些方法各有優(yōu)缺點(diǎn)，需要根據(jù)具體的測試要求和應(yīng)用場景選擇適合的方法。
擴(kuò)展電阻探針法是一種常用的測試方法，它通過在硅片上接觸探針并施加交流電壓，測量硅片的電阻值。該方法具有測量精度高、測試結(jié)果可靠等優(yōu)點(diǎn)，但需要使用昂貴的測試設(shè)備和技術(shù)。
電容法是通過測量硅片的電容來計(jì)算其電阻率，該方法具有測試速度快、設(shè)備簡單等優(yōu)點(diǎn)，但測試結(jié)果受溫度和濕度等因素的影響較大。
霍爾效應(yīng)法是通過測量硅片在磁場中的電導(dǎo)率來計(jì)算其電阻率，該方法具有測試精度高、設(shè)備簡單等優(yōu)點(diǎn)，但測試結(jié)果受溫度和厚度等因素的影響較大。
需要注意的是，不同測試方法的測試結(jié)果可能存在差異，因此需要根據(jù)具體情況選擇適合的方法進(jìn)行測試。同時(shí)，測試結(jié)果也會(huì)受到測試條件、設(shè)備誤差、環(huán)境因素等因素的影響，需要進(jìn)行必要的修正和校準(zhǔn)，以保證測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
